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參數(shù)資料
| 型號： | HYB511000BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO20 |
| 文件頁數(shù)： | 21/22頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | HYB511000BJ-50 |
Semiconductor Group
53
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Counter Test Cycle
Valid
“H” or “L”
t
CSR
t
ASR
t
ASC
t
CHR
t
CPT
t
WRP
t
RAL
t
CAH
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
RAS
t
RCS
t
CAC
t
AA
t
WRH
t
CLZ
t
RWL
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
WRH
t
WRP
t
DS
t
OFF
t
DH
t
WRH
t
WRP
t
RWL
t
CWL
t
AWD
t
CWD
t
WP
t
RCS
t
CAC
t
AA
t
DH
t
DS
t
CAC
CLZ
t
V
IH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
DI
(Input)
RAS
WE
A0-A9
CAS
DO
(Output)
DO
(Output)
DI
(Input)
WE
WE
DO
(Output)
Column
Row
Address
t
RRH
t
RCH
Data In
Valid Data Out
Data In
HI-Z
Read Cycle
Read-Modify-Write Cycle
Write Cycle
t
OFF
Valid DataOut
HI-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB511000BJ-60 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJ-70 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJL-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJL-60 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJ- | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB511000BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HYB511000BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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