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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S256400DT |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256兆位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/22頁(yè) |
| 文件大小： | 564K |
| 代理商： | HYB39S256400DT |
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INFINEON Technologies
19
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
256MBit Synchronous DRAM
Row Cycle Time during Auto
Refresh
t
RFC
60
63
67
70
ns
Activate(a) to Activate(b)
Command period
t
RRD
12
–
14
–
15
–
16
–
ns
5
CAS(a) to CAS(b) Command
period
t
CCD
1
–
1
–
1
–
1
–
CLK
Refresh Cycle
Refresh Period (8192 cycles)
t
REF
t
SREX
–
64
–
64
–
64
–
64
ms
Self Refresh Exit Time
1
–
1
–
1
–
1
CLK
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
2.5
–
3
–
3
–
3
–
ns
2,
6
Data Out to Low Impedance Time
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
Data Out to High Impedance Time
3
6
3
7
3
7
3
8
ns
DQM Data Out Disable Latency
–
2
–
2
–
2
–
2
CLK
Write Cycle
Last Data Input to Precharge
(Write without AutoPrecharge)
t
WR
12
–
14
–
15
–
15
–
ns
7
Last Data Input to Activate
(Write with AutoPrecharge)
t
DAL,min
(twr/tck) + (trp/tck)
CLK
8
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
–
0
–
0
–
0
–
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-6
PC166-
333
-7
PC133-
222
-7.5
PC133-
333
-8
PC100-
222
min.
max.
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S256400DT-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DT-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DT-75 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DT-8 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DCL-6 | 256-MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256400DT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DT-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S256400DT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?256Mb (64Mx4) PC133 3-3-3? |
| HYB39S256400DT-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-MBit Synchronous DRAM |
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