參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S16320TQ-10
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128 x 64 pixel format, LED Backlight available
中文描述： 512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 40/70頁(yè)
文件大?。?/td> 563K
代理商： HYB39S16320TQ-10
HYB 39S16320TQ-6/-7/-8
Semiconductor Group
40
1998-10-01
5. Burst Write Operation
5.1. Burst Write
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述
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HYB39S16400BT-10 JOYSTICK, POTENTIOMETER, 3 AXIS; Angle:20(degree); Centres, fixing:32.2mm; Depth, external:41.5mm; Diameter, panel cut-out:39mm; Length / Height, external:73mm; Material:ABS; Operations, mechanical No. of:1000000; Power, DC:0.125W; RoHS Compliant: Yes
HYB39S16400CT-10 16 MBit Synchronous DRAM
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