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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25R72180C-745 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/76頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25R72180C-745 |
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Page 42 of 76
2002-05-06
Write to Precharge: Nominal DQSS (2 bit Write), Interrupting (Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = Data In for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 2 data elements are written.
1 subsequent element of data in is applied in the programmed order following DI a-b.
t
W
R
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don
'
t care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don
'
t care at this point.
3 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
N
OP
N
OP
N
OP
PR
E
W
rite
N
OP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
RP
t
DQSS
(nom)
DI a-b
1
2
DQS
DQ
DM
1
t
W
R
3
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R72180C-750 | RAMBUS DRAM |
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| HYB25D128800AT-8 | ?128Mb (16Mx8) DDR200 (2-2-2)? |
| HYB25D128800T-7 | ?128Mb (16Mx8) DDR 266A (2-3-3)? |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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