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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25R72180C-645 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 5/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25R72180C-645 |
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2002-05-06
Page 5 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Block Diagram (32Mb x 4)
R
1
DQS
CK, CK
DLL
RAS
CAS
CK
CS
WE
CK
C
Column-Address
Counter/Latch
Mode
Registers
11
C
D
A0-A11,
BA0, BA1
CK
E
12
14
I/O
G
ating
DM Mask Logic
Array
(40
9
6 x 1024 x 8)
Sense Amplifiers
Bank1
Bank2
Bank3
12
10
1
2
2
R
4
4
4
RInput
1
1
1
1
1
8
8
2
8
clk
Data
Mask
Data
CK,
CK
COL0
COL0
COL0
clk
in
M
X
G
eDQS
4
4
4
4
4
8
DQ0-DQ3,
DM
DQS
1
R
W
rite
F&
Drivers
Note:
This Functional Block Diagram is intended to facilitate user understanding of the operation of
the device; it does not represent an actual circuit implementation.
Note:
DM is a unidirectional signal (input only), but is internally loaded to match the load of the bidi-
rectional DQ and DQS signals.
Column
Decoder
(x8)
R
X
1
8
9
2
B
R
&
40
9
6
A
D
B
14
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R72180C-745 | RAMBUS DRAM |
| HYB25R72180C-750 | RAMBUS DRAM |
| HYB25D128400AT-8 | ?128Mb (32Mx4) DDR200 (2-2-2)? |
| HYB25D128800AT-7 | ?128Mb (16mx8) DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D128800AT-8 | ?128Mb (16Mx8) DDR200 (2-2-2)? |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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