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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25M128160C-745 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/76頁 |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25M128160C-745 |
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write to Precharge: Non-Interrupting (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
N
OP
N
OP
N
OP
N
OP
W
rite
DI a-b
PR
E
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
t
W
R
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BA a, COL b
BA (a or all)
t
W
R
Maximum DQSS
T1
T2
T3
T4
T5
T6
N
OP
N
OP
N
OP
N
OP
W
rite
PR
E
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
W
R
Minimum DQSS
DI a-b
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
t
RP
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25M128160C-840 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M128160C-845 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M144180C-653 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M144180C-745 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M144180C-840 | RAMBUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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