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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25M128160C-745 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/76頁(yè) |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25M128160C-745 |
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2002-05-06
Page 33 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write to Write: Max DQSS, Non-Consecutive (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
t
DQSS
(max)
N
OP
N
OP
W
rite
N
OP
W
rite
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-n.
A non-interrupted burst is shown.
E
ach
W
rite command may be to any bank.
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
DI a-b
DI a-n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25M128160C-840 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M128160C-845 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M144180C-653 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M144180C-745 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M144180C-840 | RAMBUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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