參數(shù)資料
型號： HYB25D512800AT-8
英文描述： ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
中文描述： ？的512Mb（64Mx8）DDR200（2-2-2）？
文件頁數(shù)： 34/76頁
文件大?。?/td> 1218K
代理商： HYB25D512800AT-8
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Page 34 of 76
2002-05-06
Random Write Cycles (Burst Length = 2, 4 or 8)
T1
T2
T3
T4
T5
t
DQSS
(max)
Maximum DQSS
W
rite
W
rite
W
rite
W
rite
W
rite
DI a-b
DI a-n
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
b
'
, etc. = odd or even complement of b, etc. (i.e., column address LSB inverted).
E
ach
W
rite command may be to any bank.
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
T1
T2
T3
T4
T5
Minimum DQSS
W
rite
W
rite
W
rite
W
rite
W
rite
DI a-b
DI a-n
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
t
DQSS
(min)
DI a-g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB25M128160C-745 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-840 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-845 RAMBUS DRAM
HYB25M144180C-653 RAMBUS DRAM
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參數(shù)描述
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