參數(shù)資料
型號: HYB25D512800AT-8
英文描述: ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
中文描述: ?的512Mb(64Mx8)DDR200(2-2-2)?
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代理商: HYB25D512800AT-8
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
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2002-05-06
Ordering Information
Part
N
umber
CAS
Latency
Clock
(M
H
z)
CAS
Latency
Clock
(M
H
z)
Speed
Org.
Package
HY
B25D128400AT(L)-8
*
)
2.5
125
2
100
DDR200
x 4
66 pin TSOP-II
HY
B25D128800AT(L)-8
*
)
x 8
HY
B25D128160AT(L)-8
*
)
x 16
HY
B25D128400AT(L)-7
*
)
143
133
DDR266A
x 4
HY
B25D128800AT(L)-7
*
)
x 8
HY
B25D128160AT(L)-7
*
)
x 16
HY
B25D128400AT(L)-6
*
)
166
133
DDR333
x 4
HY
B25D128800AT(L)-6
*
)
x 8
HY
B25D128160AT(L)-6
*
)
x 16
*
) Low Power Versions have a “L” in the partnumber, f.e.
HY
B25D128400ATL-8. These components are specifically selected for low IDD6
Self Refresh currents.
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參數(shù)描述
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HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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