- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄367358 > HYB25D512800AT-6 ?512Mb (64Mx8) DDR333 (2.5-3-3)? PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512800AT-6 |
| 英文描述： | ?512Mb (64Mx8) DDR333 (2.5-3-3)? |
| 中文描述： | ？的512Mb（64Mx8）DDR333內存（2.5-3-3）？ |
| 文件頁數(shù)： | 61/76頁 |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25D512800AT-6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁當前第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁
2002-05-06
Page 61 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Electrical Characteristics & AC Timing for DDR266 - Applicable Specifications
Expressed in Clock Cycles
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C
;
V
DDQ
= 2.5V
±
0.2V; V
DD
= 2.5V
±
0.2V, See AC
Characteristics)
Symbol
Parameter
DD266A
@
CL=2
Units
N
otes
Min
Max
t
MRD
Mode register set command cycle time
2
t
CK
1-5
t
W
PR
E
W
rite preamble
0.25
t
CK
1-5
t
RAS
Active to Precharge command
6
16000
t
CK
1-5
t
RC
Active to Active/Auto-refresh command period
9
t
CK
1-5
t
RFC
Auto-refresh to Active/Auto-refresh
command period
10
t
CK
1-5
t
RCD
Active to Read or
W
rite delay
3
t
CK
1-5
t
RP
Precharge command period
3
t
CK
1-5
t
RRD
Active bank A to Active bank B command
2
t
CK
1-5
t
W
R
W
rite recovery time
2
t
CK
1-5
t
DAL
Auto precharge write recovery
+
precharge time
5
t
CK
1-5
t
W
TR
Internal write to read command delay
1
t
CK
1-5
t
X
S
N
R
E
xit self-refresh to non-read command
10
t
CK
1-5
t
X
SRD
E
xit self-refresh to read command
200
t
CK
1-5
1. Input slew rate = 1V/ns
2. The CK/CK input reference level (for timing reference to CK/CK) is the point at which CK and CK cross: the input reference level for
signals other than CK/CK, is V
R
E
F.
3. Inputs are not recognized as valid until V
R
E
F
stabilizes.
4. The Output timing reference level, as measured at the timing reference point indicated in AC Characteristics (
N
ote 3) is V
TT
.
5. t
HZ
and t
L
Z
transitions occur in the same access time windows as valid data transitions. These parameters are not referred to a spe-
cific voltage level, but specify when the device is no longer driving (
HZ
), or begins driving (L
Z
).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512800AT-7 | ?512Mb (64Mx8) DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D512800AT-8 | ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)? |
| HYB25M128160C-653 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M128160C-745 | RAMBUS DRAM |
| HYB25M128160C-840 | RAMBUS DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。