參數(shù)資料
型號： HYB25D512800AT-6
英文描述： ?512Mb (64Mx8) DDR333 (2.5-3-3)?
中文描述： ？的512Mb（64Mx8）DDR333內(nèi)存（2.5-3-3）？
文件頁數(shù)： 3/76頁
文件大?。?/td> 1218K
代理商： HYB25D512800AT-6
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
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2002-05-06
Pin Configuration
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512800AT-7 ?512Mb (64Mx8) DDR266A (2-3-3)?
HYB25D512800AT-8 ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
HYB25M128160C-653 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-745 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-840 RAMBUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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