參數(shù)資料
型號: HYB25D512400AT-8
英文描述: ?512Mb (128Mx4) DDR200 (2-2-2) ?
中文描述: ?的512Mb(128Mx4)DDR200(2-2-2)?
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代理商: HYB25D512400AT-8
2002-05-06
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Read to Write: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
BST
N
OP
W
rite
N
OP
N
OP
Read
DI a-b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n
.DI a-b = data in to bank a, column b
1 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Data In elements are applied following Dl a-b in the programmed order, according to burst length.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2
t
DQSS
(min)
CAS Latency = 2.5
BST
N
OP
N
OP
W
rite
N
OP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2.5
t
DQSS
(min)
Dla-b
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PDF描述
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