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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512160TE-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁數(shù)： | 14/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512160TE-3 |
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4 organization
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4 organization
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8 and
×
4 organisation
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Note:
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×
4 organization
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×
4 organization
Not Connected
Note:
×
8 and
×
4 organization
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Pin Configuration
Data Sheet
14
Rev. 1.2, 2004-06
Data Strobe
×
16 organization
E3, 51
UDQS
I/O
SSTL
Data Strobe Upper Byte
E7, 16
Data Mask
×
16 organization
F3, 47
F7, 20
Power Supplies
F1, 49
A9, B2, C8,
D2, E8, 3, 9,
15, 55, 61
A7, F8, M3,
M7, 1, 18, 33
A1, B8, C2,
D8, E2, 6, 12,
52, 58, 64
F2, 34
Not Connected
A2, 65
LDQS
I/O
SSTL
Data Strobe Lower Byte
UDM
LDM
I
I
SSTL
SSTL
Data Mask Upper Byte
Data Mask Lower Byte
V
REF
V
DDQ
AI
PWR
—
—
I/O Reference Voltage
I/O Driver Power Supply
V
DD
PWR
—
Power Supply
V
SSQ
PWR
—
Power Supply
V
SS
PWR
—
Power Supply
NC
NC
—
A8, 2
NC
NC
—
B1, 63
NC
NC
—
B9, 4
NC
NC
—
C1, 60
NC
NC
—
C3, 59
NC
NC
—
C7, 8
NC
NC
—
C9, 7
NC
NC
—
D1, 57
NC
NC
—
D9, 10
NC
NC
—
E1, 54
NC
NC
—
Table 3
Ball#/Pin#
Pin Configuration of DDR SDRAM
Name
Pin
Type
Buffer
Type
Function
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYE25L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.100/.21 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512400BR-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT |
| HYB25D512400CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
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