參數(shù)資料
型號: HYB25D512160AT-8
英文描述: ?512Mb (32Mx16) DDR200 (2-2-2)?
中文描述: ?的512Mb(32Mx16)DDR200(2-2-2)?
文件頁數(shù): 31/76頁
文件大?。?/td> 1218K
代理商: HYB25D512160AT-8
2002-05-06
Page 31 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write Burst (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
t
DQSS
(max)
N
OP
N
OP
N
OP
W
rite
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
Maximum DQSS
BA a, COL b
T1
T2
T3
T4
t
DQSS
(min)
N
OP
N
OP
N
OP
W
rite
CK
CK
Command
Address
DQS
Minimum DQSS
BA a, COL b
DQ
DM
Dla-b
Dla-b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512400AR-7 ?512Mb (stacked 256Mb) ?
HYB25D512400AT-8 ?512Mb (128Mx4) DDR200 (2-2-2) ?
HYB25D512800AT-6 ?512Mb (64Mx8) DDR333 (2.5-3-3)?
HYB25D512800AT-7 ?512Mb (64Mx8) DDR266A (2-3-3)?
HYB25D512800AT-8 ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512400BR-7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT
HYB25D512400CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: