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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D256400AT-8 |
| 英文描述： | ?256Mbit (64Mx4) DDR 200 (2-2-2) End-of-Life? |
| 中文描述： | ？的256Mbit（64Mx4）的DDR 200（2-2-2）結(jié)束的生命？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/76頁(yè) |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25D256400AT-8 |
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2002-05-06
Page 27 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Read to Write: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
BST
N
OP
W
rite
N
OP
N
OP
Read
DI a-b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n
.DI a-b = data in to bank a, column b
1 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Data In elements are applied following Dl a-b in the programmed order, according to burst length.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2
t
DQSS
(min)
CAS Latency = 2.5
BST
N
OP
N
OP
W
rite
N
OP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2.5
t
DQSS
(min)
Dla-b
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