參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T256324F-20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
中文描述： 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的]
文件頁(yè)數(shù)： 39/80頁(yè)
文件大?。?/td> 2026K
代理商： HYB18T256324F-20
HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
39
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.7.3
Write - Consecutive Bursts
3.7.3.1
Gapless Bursts
Figure 22
Gapless Write Bursts
1. Shown with nominal value of
t
DQSS
2. The second WR command may be either for the same bank or another bank
3. WDQS can only transition when data is applied at the chip input and during pre- and postambles
$1
7,
7$13
#,+
#,+
72
. $
$%3
#OM
. $
$%3
$%3
$%3
$ %3
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!DDR
72
$%3
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$1
7$13
7,
$1
7$13
" #X
" #Y
7,
"ANK #OLUMN ADDRESS X
"ANK #OLUMN ADDRESS Y
7RITE ,ATENCY
$X
$Y
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$A TA TO " #Y
#OM
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$X
$X
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$X
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$X
$X
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$Y $ Y $ Y
$ONgT #ARE
72
$%3
. $
72)4%
$E SELECT
./0 $ESELECT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256324F-22 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256400AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256160A-3S 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256800AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256400AFL-37 256 Mbi t DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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