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參數(shù)資料
| 型號： | HY64LD16322M |
| 英文描述： | x16|2.5(VDD)2.5(VDDQ)V|85|Pseudo SRAM - 32M |
| 中文描述： | x16 | 2.5（VDD）在2.5（提供VDDQ）V | 85 |偽靜態(tài)存儲器- 32M的 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | HY64LD16322M |
HY64LD16162M Series
6
Revision 1.7
March. 2002
STANDBY MODE CHARACTERISTICS
Mode
Memory Cell Data
Standby Current
[
μ
A]
Wait Time
[
μ
s]
Standby
Valid
75
0
Deep Power Down
Invalid
2
200
STATE DIAGRAM
1. Supply power.
2. Maintain stable power for longer than 200
μ
s.
Power-Up Sequence
1. Keep CS2 low state.
Deep power down mode is maintained while CS2 is low state.
Deep Power Down Entry Sequence
1. Keep CS2 high state.
2. Maintain stable power for longer than 200
μ
s.
Deep Power Down Exit Sequence
Power On
s
Wait 200
m
s
s
Active
Standby
Mode
Deep Power
Down Mode
/ CS1=V
IL
, CS2=V
IH
,
/UB&/LB
≠
V
IH
CS2=V
IL
CS2=V
IL
P
S
CS2=V
IH
, /CS1=V
IH
or /UB,/LB=V
IH
D
S
Deep Power Down
Entry Sequence
CS2=V
IH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY64LD16322M-DF85E | PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64LD16322M-DF85I | PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16162M | x16|3.0(VDD)3.0(VDDQ)V|70/85|Pseudo SRAM - 16M |
| HY64UD16162M-DF70C | PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16162M-DF70E | PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY64LD16322M-DF85E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64LD16322M-DF85I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64SD16162B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64SD16162B-DF85E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64SD16162B-DF85I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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