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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62WT08081E-DTI |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | HY62WT08081E系列32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | HY62WT08081E-DTI |
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility
for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 04 / May . 2001 Hynix Semiconductor
HY62WT08081E
Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Document Title
32K x8 bit 2.7~5.5V Low Power Slow SRAM
Revision History
Revision No History Draft Date Remark
00 Initial Feb.05.2001 Preliminary
01 Revised Feb.13.2001 Final
-
Change LL-Part Isb1 Limit @E.T/I.T, 4.5~5.5V
: 15uA => 20uA
02 Revised Feb.21.2001 Final
-
Marking Information Change : SOP Type
-
Voh Limit Change : 2.4V => 2.2V @2.7~3.6V
03 Changed Logo Apr.30.2001 Final
- HYUNDAI -> hynix
- Marking Information Change
04 Revised May.23.2001 Final
-
Iccdr Limit Add : 2uA @40
°
C
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