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參數(shù)資料
| 型號： | HY62WT08081E-DPC |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | HY62WT08081E系列32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | HY62WT08081E-DPC |
HY62WT08081E Series
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
Vcc = 4.5~5.5V
Symbol
Parameter
Vcc
Power Supply Voltage
Vss
Ground
V
IH
Input High Voltage
V
IL
Input Low Voltage
Note1. V
IL
= -3.0V for pulse width less than 50ns
Vcc = 2.7~3.6V
Symbol
Parameter
Vcc
Power Supply Voltage
Vss
Ground
V
IH
Input High Voltage
V
IL
Input Low Voltage
Note1. V
IL
= -1.5V for pulse width less than 50ns
TRUTH TABLE
/CS
/WE
/OE
Mode
H
X
X
Standby
L
H
H
Output Disabled
L
H
L
Read
L
L
X
Write
Note
1. H=V
IH
, L=V
IL
, X=Don't Care
Rev 04 / May. 2001
3
Min.
4.5
0
2.2
-0.3
(1)
Typ.
5.0
0
-
-
Max.
5.5
0
Vcc+0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
Min.
2.7
0
2.2
-0.3
(1)
Typ.
3.0/3.3
0
-
-
Max.
3.6
0
Vcc+0.3
0.6
Unit
V
V
V
V
I/O Operation
High-Z
High-Z
Data Out
Data In
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62WT08081E-DPE | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DPI | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DTC | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DTE | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DTI | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HY6316100AJ-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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