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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62V8200BLLST-E |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | HY62V8200B系列256Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | HY62V8200BLLST-E |
Y62V8200B Series
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1
(Note1,4)
Rev 06 / Apr. 2001
5
Data Valid
High-Z
ADDR
Data
Out
tRC
/CS1
CS2
/OE
tAA
tACS
tOE
tCLZ
(3)
tOLZ
(3)
tOH
tCHZ
(3)
tOHZ
(3)
READ CYCLE 2
(Note 1,2,4)
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3
(Note 1,2,4)
/CS1
tACS
Data Valid
tCLZ
(3)
tCHZ
(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE, a low /CS1 and a high CS2.
2. /OE = V
IL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS1 in high for the standby, low for active
CS2 in low for the standby, high for active
CS2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62V8200BLLST-I | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8200BLLT1 | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8200BLLT1-E | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8200BLLT1-I | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8400 | 512K X 8-bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY6300 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC |
| HY6316100AJ-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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