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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62V8200BLLSR-I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | HY62V8200B系列256Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | HY62V8200BLLSR-I |
Y62V8200B Series
WRITE CYCLE 1
(1,4,5,8) (/WE Controlled)
WRITE CYCLE 2
(1,4,5,8) (/CS1, CS2 Controlled)
Rev 06 / Apr. 2001
6
Data Valid
ADDR
Data
Out
/CS1
CS2
/WE
tWC
tCW
tWR
(2)
tAW
tWP
Data In
High-Z
tAS
tWHZ
(3,7)
tDW
tDH
tOW
(
5
)
(
6
)
Data Valid
ADDR
Data
Out
/CS1
CS2
/WE
tWC
tCW
tWR
(2)
tAW
tWP
Data In
tDW
tDH
High-Z
High-Z
tAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62V8200BLLST | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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