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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62V16100LR2-I-12 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | HY62V16100LR2-I-12 |
HY62V16100-(I)/HY62U16100-(I) Series
Rev.07 /Jan.99
9
DATA RETENTION ELECTRIC CHARATERISTIC
T
A
= 0
°
C to 70
°
C (Normal)/ -40
°
C to 85
°
C (E.T.)
Symbol
V
DR
Vcc for Data Retention
I
CCDR
Data Retention
Current
Parameter
Test Condition
Min
2
-
-
-
-
-
-
-
-
0
5
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
-
30
10
30
15
30
10
30
15
-
-
Unit
V
uA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
ns
ms
HY62V16100
Vcc = 3.0V,
/CS > Vcc - 0.2V
Vss<V
IN
<Vcc
L
LL
L
LL
L
LL
L
LL
HY62V16100-I
HY62U16100
HY62U16100-I
tCDR
tR
Chip Deselect to Data Retention Time
Operating Recovery Time
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM
Note :
1. 3.0V : HY62V16100 and HY62V16100-I
2. 2.7V : HY62U16100 and HY62U16100-I
CS
VDR
CS>VCC-0.2V
tCDR
tR
VSS
VCC
3.0/2.7V
2.2V
DATA RETENTION MODE
RELIABILITY SPEC
.
TEST MODE
ESD HBM
MM
LATCH - UP
TEST SPEC.
> 2000V
> 250V
< -100mA
> 100mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM532404SLTNG-60 | 4M X 32 EDO DRAM MODULE, 60 ns, ZMA72 |
| HYM536410ALM-70 | 4M X 36 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72 |
| HZ4A1 | 3.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| HZ9B3 | 8.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| HZC27 | 27 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY6300 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC |
| HY6316100AJ-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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