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參數(shù)資料
| 型號： | HY62UF16804B |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 512Kx16bit充分的CMOS的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | HY62UF16804B |
HY62UF16804B
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1(Note 1,4)
READ CYCLE 2(Note 1,2,4)
Rev.01/Mar. 2002
5
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
/UB, /LB
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE, a low /CS and low /UB and /or /LB
2. /OE = V
IL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
/UB and /LB in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/UB ,/ LB
/OE
tBA
tOE
tCLZ
(3)
tBLZ
(3)
tOLZ
(3)
tCHZ
(3)
tBHZ
(3)
tOHZ
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62UF16804B-DFC | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B-DFI | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62V8200B | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8200BLLR1 | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8200BLLR1-E | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62UF16804B-DFC | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B-DFI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16806A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16|3V|55/70/85|Super Low Power Slow SRAM - 8M |
| HY62UF16806A-C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16806A-DMC | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Kx16bit full CMOS SRAM |
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