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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62UF08401C-I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 高速，超低功耗和4Mbit全CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | HY62UF08401C-I |
HY62UF08401C Series
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1 (Note 1,4)
READ CYCLE 2 (Note 1,2,4)
Rev.02 / Jun.01
5
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE and a low /CS.
2. /OE = V
IL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/OE
tOE
tCLZ
(3)
tOLZ
(3)
tCHZ
(3)
tOHZ
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62UF08401C-SS(I) | High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM |
| HY62UF16101C | 64Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16101CLLF | 64Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16101CLLF-I | 64Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16101CSLF | 64Kx16bit full CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62UF08401C-SS(I) | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM |
| HY62UF08401C-SS55I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY62UF08401C-SS70I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY62UF08401C-SSI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM |
| HY62UF16101C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Kx16bit full CMOS SRAM |
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