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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5V58BLF |
| 英文描述： | 32Mx8|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| 中文描述： | 32Mx8 | 3.3 | 8K的| H/8/P/S |特別提款權(quán)的SDRAM - 256M |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | HY5V58BLF |
Rev. 0.2/Jun 02 8
HY5V52CF
AC CHARACTERISTICS II
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
-8
-P
-S
Unit
Not
e
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS cycle time
Operation
tRC
64
-
70
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
64
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
20
-
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
48
100
K
50
100
K
50
100
K
ns
RAS precharge time
tRP
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS bank active delay
tRRD
2
-
20
-
20
-
CLK
CAS to CAS delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
-
4
-
4
-
CLK
DQM to data-out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to data-in mask
tDQM
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to
data output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
2
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
-
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
-
64
ms
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V62CF | 2Mx32|3.3V|4K|7|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V62CF-7 | x32 SDRAM |
| HY5V62CF-S | x32 SDRAM |
| HY5V66GF | 4Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V66GF-H | x16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V62CF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2Mx32|3.3V|4K|7|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V62CF-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY5V62CF-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY5V66EF6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
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