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參數(shù)資料
| 型號： | HY5V58BF |
| 英文描述： | 32Mx8|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| 中文描述： | 32Mx8 | 3.3 | 8K的| H/8/P/S |特別提款權(quán)的SDRAM - 256M |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | HY5V58BF |
Rev. 0.2/Jun 02 5
HY5V52CF
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz, VDD=3.3V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
tbd
tbd
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, DQM0~3
CI
2
tbd
tbd
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
C
I/O
tbd
tbd
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V58BLF | 32Mx8|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| HY5V62CF | 2Mx32|3.3V|4K|7|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V62CF-7 | x32 SDRAM |
| HY5V62CF-S | x32 SDRAM |
| HY5V66GF | 4Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V58BLF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx8|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| HY5V62CF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2Mx32|3.3V|4K|7|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V62CF-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY5V62CF-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY5V66EF6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
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