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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5V22(L)F(P)-S |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | RES 10K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 4銀行× 1米x 32Bit的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | HY5V22(L)F(P)-S |
Rev. 0.9 / July 2004
5
HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM
A1
BA1
Register
Mode Register
Decoder
Decoder
Counter
Row Active
Active
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Counter
DQ0
DQ1
DQ30
DQ31
& Timer
Pipe Line Control
Bank Select
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
DQM3
x32 Bank 3
Array
Y decoder
1M x32 Bank 0
1M x32 Bank 1
1M x32 Bank 2
1M
X
S
A0
A11
BA0
A
Address
Row
Pre
Column
Pre
Column Add
Column
Burst
Refresh
Self Refresh Logic
I
S
WE
DQM0
DQM1
DQM2
X
X
Cell
Memory
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V283220(L)T(P)-P | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-S | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-5 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-55 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V22LFP-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY5V22LF-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY5V26CF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M |
| HY5V26CF-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY5V26CF-6I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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