參數(shù)資料
型號： HY5S6B6DSF-SE
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
封裝： 0.80 MM PITCH, FBGA-54
文件頁數(shù)： 5/27頁
文件大?。?/td> 368K
代理商： HY5S6B6DSF-SE
Rev 0.3 / July 2004
5
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 16 I/O Low Power Synchronous DRAM
Internal Row
Counter
Column
Pre
Decoder
Column Add
Counter
Self refresh
logic & timer
Extended
Mode
Register
S
Address
Register
Burst
Counter
Mode Register
S
A
Bank Select
Column Active
Row Active
CAS Latency
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
U/LDQM
A0
A1
BA1
BA0
A11
PASR
Row
Pre
Decoder
Refresh
DQ0
DQ15
R
R
R
R
Column decoders
1Mx16 Bank 0
1Mx16 Bank 1
1Mx16 Bank 2
1Mx16 Bank 3
Memory
Cell
Array
Data Out Control
B
L
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