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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DV281622DT |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 128M的（8M × 16位）GDDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/31頁(yè) |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | HY5DV281622DT |
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Rev. 0.5 / Aug. 2003
27
HY5DV281622DT
AC CHARACTERISTICS - I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
33
36
4
5
6
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time
t
RC
18
-
16
-
15
-
12
-
11
-
CK
Auto Refresh Row Cycle Time
t
RFC
22
-
20
-
18
-
14
-
12
-
CK
Row Active Time
t
RAS
12
100K
11
100K
10
100K
8
100K
7
100K
CK
Row Address to Column Address
Delay
t
RCDRD
6
-
5
-
5
-
4
-
4
-
CK
t
RCDWT
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CK
Row Active to Row Active Delay
t
RRD
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CK
Column Address to Column
Address Delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CK
Row Precharge Time
t
RP
6
-
5
-
5
-
4
-
4
-
CK
Last Data-In to Precharge Delay
(Write Recovery Time : tWR)
t
DPL
3
-
3
-
3
-
3
-
2
-
CK
Last Data-In to Read Command
t
DRL
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CK
Auto Precharge Write Recovery +
Precharge Time
t
DAL
9
-
8
-
8
-
7
-
6
-
CK
System Clock Cycle
Time
CL = 4.0
t
CK
3.3
6.0
3.6
6.0
4.0
6.0
-
-
-
-
ns
CL = 3.0
-
-
-
-
4.3
7.0
5.0
7.0
6.0
7.0
ns
Clock High Level Width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Clock Low Level Width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Data-Out edge to Clock edge
Skew
t
AC
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.75
0.75
ns
DQS-Out edge to Clock edge
Skew
t
DQSCK
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.75
0.75
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge
Skew
t
DQSQ
-
0.4
-
0.4
-
0.4
-
0.45
-
0.5
ns
Data-Out hold time from DQS
t
QH
t
HPmin
-t
QHS
-
t
HPmin
-t
QHS
-
t
HPmin
-t
QHS
-
t
HPmin
-t
QHS
-
t
HPmin
-t
QHS
-
ns
1, 6
Clock Half Period
t
HP
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
ns
1, 5
Data Hold Skew Factor
t
QHS
-
0.4
-
0.4
-
0.4
-
0.75
-
0.75
ns
6
Input Setup Time
t
IS
0.9
-
0.9
-
0.9
-
0.9
-
0.9
-
ns
2
Input Hold Time
t
IH
0.9
-
0.9
-
0.9
-
0.9
-
0.9
-
ns
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-33 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-36 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-4 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-5 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-6 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HY5DV281622DT-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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