參數(shù)資料
型號: HY5DU56822AT-M
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M-S DDR SDRAM
中文描述: 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁數(shù): 30/36頁
文件大小: 374K
代理商: HY5DU56822AT-M
Rev. 0.4/ May. 02 30
HY5DU56422A(L)T
HY5DU56822A(L)T
HY5DU561622A(L)T
Input Setup Time (slow slew rate)
t
IS
0.8
-
1.0
-
ns
2,4,5,6
Input Hold Time (slow slew rate)
t
IH
0.8
-
1.0
-
ns
Input Pulse Width
t
IPW
2.2
-
2.2
-
ns
6
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.35
-
0.35
-
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.35
-
0.35
-
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.75
1.25
0.72
1.28
CK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DS
0.45
-
0.5
-
ns
6,7,11,
12,13
Data-in Hold Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DH
0.45
-
0.5
-
ns
DQ & DM Input Pulse Width
t
DIPW
1.75
-
1.75
-
ns
Read DQS Preamble Time
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
CK
Read DQS Postamble Time
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Preamble Setup Time
t
WPRES
0
-
0
-
CK
Write DQS Preamble Hold Time
t
WPREH
0.25
-
0.25
-
CK
Write DQS Postamble Time
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Mode Register Set Delay
t
MRD
2
-
2
-
CK
Exit Self Refresh to Any Execute Command
t
XSC
200
-
200
-
CK
8
Average Periodic Refresh Interval
t
REFI
-
7.8
-
7.8
us
Parameter
Symbol
DDR333
DDR266
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
相關PDF資料
PDF描述
HY5DU561622DLT 256Mb DDR SDRAM
HY5DU561622DT 256Mb DDR SDRAM
HY5DU56422DLT 256Mb DDR SDRAM
HY5DU56422DT 256Mb DDR SDRAM
HY5DU56822DLT 256Mb DDR SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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