- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385425 > HY5DU121622CTP-4 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU121622CTP-4 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 4/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | HY5DU121622CTP-4 |
第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
Rev. 0.3 / Apr. 2005
4
1
HY5DU121622CTP
PIN CONFIGURATION
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
x16
x16
400mil X 875mil
66pin TSOP -II
0.65mm pin pitch
ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
ITEMS
32Mx16
Organization
8M x 16 x 4banks
Row Address
A0 - A12
Column Address
A0-A9
Bank Address
BA0, BA1
Auto Precharge Flag
A10
Refresh
8K
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU121622CTP-5 | 512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-6 | 512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU12822B | CAP CERAMIC 15PF 50V NP0 0805 |
| HY5DU121622B | 512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU121622BLTP | 512Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU121622CTP-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU121622DFP-D43 | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5DU121622DFP-D43I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。