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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU121622CLTP |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 產(chǎn)品512Mb DDR SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 25/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | HY5DU121622CLTP |
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Rev. 1.0 / Mar. 2005
25
1
HY5DU12422C(L)TP
HY5DU12822C(L)TP
HY5DU121622C(L)TP
- Continue
Parameter
Symbol
DDR400B
DDR333
DDR266A
DDR266B
DDR200
UNIT
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Data-out high-impedance window
from CK,/CK
10
tHZ
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
Data-out low-impedance window
from CK, /CK
10
tLZ
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
Input Setup Time (fast slew
rate)
14,16-18
tIS
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns
Input Hold Time (fast slew
rate)
14,16-18
tIH
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns
Input Setup Time (slow slew
rate)
15-18
tIS
0.7
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns
Input Hold Time (slow slew
rate)
15-18
tIH
0.7
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns
Input Pulse Width
17
tIPW
2.2
-
2.2
-
2.2
-
2.2
-
2.5
-
ns
Write DQS High Level Width
tDQSH
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
tCK
Write DQS Low Level Width
tDQSL
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
tCK
Clock to First Rising edge of DQS-
In
tDQSS
0.72
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
DQS falling edge to CK setup time
tDSS
0.2
-
0.2
-
0.2
-
0.2
-
0.2
-
tCK
DQS falling edge hold time from
CK
tDSH
0.2
-
0.2
-
0.2
-
0.2
-
0.2
-
tCK
DQ & DM input setup time
25
tDS
0.4
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
DQ & DM input hold time
25
tDH
0.4
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
DQ & DM Input Pulse Width
17
tDIPW
1.75
-
1.75
-
1.75
-
1.75
-
2
-
ns
Read DQS Preamble Time
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
Read DQS Postamble Time
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Write DQS Preamble Setup Time
12
tWPRES
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
Write DQS Preamble Hold Time
tWPREH
0.25
-
0.25
-
0.25
-
0.25
-
0.25
-
tCK
Write DQS Postamble Time
11
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Mode Register Set Delay
tMRD
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
tCK
Exit Self Refresh to non-Read
command
23
tXSNR
75
-
75
-
75
-
75
-
80
-
ns
Exit Self Refresh to Read
command
tXSRD
200
-
200
-
200
-
200
-
200
-
tCK
Average Periodic Refresh
Interval
13,25
tREFI
-
7.8
-
7.8
-
7.8
-
7.8
-
7.8
us
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU121622CLTP-X | 512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12422C | CAP .039UF 16V PPS FILM SMD |
| HY5DU12422CLTP | CAP.00047UF 16V PPS FILM 0603 2% |
| HY5DU12422CLTP-X | 512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU12422CTP | CAP .0047UF 16V PPS FILM 0805 2% |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU121622CLTP-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU121622CTP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb(32Mx16) GDDR SDRAM |
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