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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V64820HG |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行x 2米× 8位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | HY57V64820HG |
HY57V64820HG
Rev. 0.5/Sep. 02
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
2Mbit x 4banks x 8 I/O Synchronous DRAM
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
X
Internal Row
counter
DQ0
DQ1
DQ6
DQ7
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
2Mx8 Bank 1
2Mx8 Bank 0
2Mx8 Bank 2
2Mx8 Bank3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V64820HGLT-5 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-55 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGTP-5 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGTP-55 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 25V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk |
| HY57V64820HGTP-6 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V64820HGLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx8|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V64820HGLT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
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