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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V561620BT-KI |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | HY57V561620BT-KI |
HY57V561620B(L)T-I
Rev.1.3 / Apr. 2003 5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=-40
°
C
~ 85
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
-6I/KI/HI
-8I/PI/SI
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A12, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620BT-PI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BT-SI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-S | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620C | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-6 | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620BT-PI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BT-SI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V561620CLT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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