- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385420 > HY57V561620BT-KI (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V561620BT-KI |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | HY57V561620BT-KI |
HY57V561620B(L)T-I
Rev.1.3 / Apr. 2003 10
DEVICE OPERATING OPTION TABLE
HY57V561620B(L)T-6I
HY57V561620B(L)T-KI
HY57V561620B(L)T-HI
HY57V561620B(L)T-8I
HY57V561620B(L)T-PI
HY57V561620B(L)T-SI
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
166MHz(6ns)
143MHz(7ns)
133MHz(7.5ns)
3CLKs
3CLKs
2CLKs
3CLKs
3CLKs
3CLKs
7CLKs
6CLKs
6CLKs
10CLKs
9CLKs
9CLKs
3CLKs
3CLKs
3CLKs
5.4ns
5.4ns
5.4ns
2.0ns
2.0ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
133MHz(7.5ns)
125MHz(8ns)
100MHz(10ns)
2CLKs
3CLKs
2CLKs
2CLKs
3CLKs
2CLKs
6CLKs
6CLKs
5CLKs
8CLKs
9CLKs
7CLKs
2CLKs
3CLKs
2CLKs
5.4ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
133MHz(7.5ns)
125MHz(8ns)
100MHz(10ns)
3CLKs
3CLKs
2CLKs
3CLKs
3CLKs
2CLKs
6CLKs
6CLKs
5CLKs
9CLKs
9CLKs
7CLKs
3CLKs
3CLKs
2CLKs
5.4ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
125MHz(8ns)
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
3CLKs
2CLKs
2CLKs
3CLKs
2CLKs
2CLKs
6CLKs
5CLKs
4CLKs
9CLKs
7CLKs
6CLKs
3CLKs
2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
66MHz(15ns)
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
5CLKs
5CLKs
4CLKs
7CLKs
7CLKs
6CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
66MHz(15ns)
3CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
5CLKs
5CLKs
4CLKs
7CLKs
7CLKs
6CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.5ns
2.5ns
2.5ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620BT-PI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BT-SI | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-S | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620C | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT-6 | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620BT-PI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620BT-SI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V561620CLT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。