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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V281620ET-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/13頁(yè) |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | HY57V281620ET-H |
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Rev. 1.1 / J an. 2005
13
Synchronous DRAM Memory 128Mbit (8Mx16bit)
HY57V281620E(L)T(P) Series
PACKAGE INFORMATION
400mil 54pin Thin Small Outline Package
11.938(0.4700)
11.735(0.4620)
10.262(0.4040)
10.058(0.3960)
22.327(0.8790)
22.149(0.8720)
5deg
0deg
0.597(0.0235)
0.406(0.0160)
0.210(0.0083)
0.120(0.0047)
1.194(0.0470)
0.991(0.0390)
0.80(0.0315)BSC
0.400(0.016)
0.300(0.012)
UNIT : mm(inch)
0.150(0.0059)
0.050(0.0020)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620ELTP-H | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ET | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ETP-5 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ETP-6 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ETP-7 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620ETP-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ETP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ETP-6DR-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V281620ETP-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ETP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
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