- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367328 > HY51V64400HG 16Mx4|3.3V|8K|45|FP/EDO DRAM - 64M PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY51V64400HG |
| 英文描述： | 16Mx4|3.3V|8K|45|FP/EDO DRAM - 64M |
| 中文描述： | 16Mx4 | 3.3 | 8K的| 45 |計劃生育/ EDO公司的DRAM - 6400 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | HY51V64400HG |
HY51V(S)16400HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
8
Fast Page Mode Cycle
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Test Mode Cycle
Self Refresh Cycle (L-Version)
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Fast page mode cyle time
tPC
35
-
40
-
45
-
ns
Fast page mode /RAS pulse width
tRASP
-
100K
-
100K
-
100K
ns
17
Access time from /CAS precharge
tACP
-
30
-
35
-
40
ns
10,18,
20
/RAS hold time from /CAS precharge
tRHCP
30
-
35
-
40
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Fast Page read-modify-write cycle time
tPRWC
76
-
85
-
96
-
ns
Fast page mode read-modify-write cycle
/CAS precharge to /WE delay time
tCPW
53
-
60
-
68
-
ns
15
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Test mode /WE setup time
tWTS
0
-
0
-
0
-
ns
Test mode /WE hold time
tWTH
10
-
10
-
10
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
/RAS pulse width ( self refresh)
tRASS
100
-
100
-
100
-
us
/RAS precharge time ( self refresh)
tRPS
90
-
110
-
130
-
ns
/CAS hold time ( self refresh)
tCHS
-50
-
-50
-
-50
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY51V64400JC60 | x4 Fast Page Mode DRAM |
| HY51V64400JC70 | x4 Fast Page Mode DRAM |
| HY51V64400LJC60 | x4 Fast Page Mode DRAM |
| HY51V64400LJC70 | x4 Fast Page Mode DRAM |
| HY51V64400LTC60 | x4 Fast Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY51V65164ATC-60 | 制造商:Hyundai 功能描述: |
| HY52 | 制造商:AEARO 功能描述:HYGIENE KIT OPTIME II DEFENDER 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:Hygiene Kit for Optime II Ear Defender |
| HY5203-015M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Logic IC |
| HY5203-015R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Logic IC |
| HY5203-015Z | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Logic IC |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。