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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY51V64400HG |
| 英文描述： | 16Mx4|3.3V|8K|45|FP/EDO DRAM - 64M |
| 中文描述： | 16Mx4 | 3.3 | 8K的| 45 |計(jì)劃生育/ EDO公司的DRAM - 6400 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | HY51V64400HG |
HY51V(S)16400HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
7
Write Cycle
Read-Modify-Write Cycle
Refresh cycle
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write command set-up time
tWCS
0
-
0
-
0
-
ns
15
Write command hold time
t
WCH
8
-
10
-
15
-
ns
Write command pulse width
tWP
8
-
10
-
15
-
ns
Write command to /RAS lead time
t
RWL
13
-
15
-
18
-
ns
Write command to /CAS lead time
t
CWL
13
-
15
-
18
-
ns
Data-in set-up time
tDS
0
-
0
-
0
-
ns
16
Data-in hold time
tDH
8
-
10
-
15
-
ns
16
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read-modify-write cycle time
tRWC
101
-
116
-
140
-
ns
/RAS to /WE delay time
t
RWD
63
-
67
-
79
-
ns
14
/CAS to /WE delay time
tCWD
30
-
30
-
34
-
ns
14
Column address to /WE delay time
t
AWD
40
-
42
-
49
-
ns
14
/OE hold time from /WE
t
OEH
12
-
13
-
15
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
/CAS set-up time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
tCSR
5
-
5
-
5
-
ns
/CAS hold time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
t
CHR
8
-
10
-
10
-
ns
/WE set-up time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
tWRP
0
-
0
-
0
-
ns
/WE hold time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
t
WRH
10
-
10
-
10
-
ns
/RAS precharge to /CAS hold time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
t
RPC
5
-
5
-
5
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HY51V64400JC70 | x4 Fast Page Mode DRAM |
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