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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27US08121B-TPIS |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-TPIS |
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Rev 0.5 / Jul. 2007
24
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Figure 10: Status Read Cycle
t CLS
tCLR
tCLH
tCS
tCH
tWP
tWHR
tCEA
tDS
tREA
tCHZ
tRH
t H
70h
Status Output
tDH
tIR
CE
WE
I/Ox
CLE
RE
Figure 11: Read1 Operation (Read One Page)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
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