參數(shù)資料
型號(hào)： HUFA75631S3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 33 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大小： 251K
代理商： HUFA75631S3ST
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75631SK8 Rev. B
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
30
100
1000
3000
0.1
1.0
10
100
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
V
G
,
V
DD
= 50V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 5.5A
I
D
= 2A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
HUFA75631SK8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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