參數(shù)資料
型號： HUF76407P3
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(12A, 60V, 0.107Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
中文描述： 13 A, 60 V, 0.117 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 340K
代理商： HUF76407P3
5
FIGURE 11. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 13. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
FIGURE 15. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
FIGURE 16. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
Typical Performance Curves
(Continued)
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.6
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
100
1000
0.1
1.0
10
60
10
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
OSS
@ C
DS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 12A
I
D
= 5A
I
D
= 3A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
50
100
150
0
10
20
30
40
50
0
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V, I
D
= 6A
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF)
20
40
60
80
0
10
20
30
40
50
0
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 30V, I
D
= 12A
t
r
t
d(ON)
t
f
t
d(OFF)
HUF76407P3
相關PDF資料
PDF描述
HUF76409D3 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(17A, 60V, 0.071Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76409D3S 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(17A, 60V, 0.071Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76409P3 17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(17A, 60V, 0.070Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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HUF76409D3 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76409D3S 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76409D3ST 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76409D3ST_R4921 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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