參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75829D3S
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET(18A, 150V, 0.110Ω N溝道邏輯電平功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 18 A, 150 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 122K
代理商： HUF75829D3S
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
15
20
50
75
100
125
150
0
25
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
175
5
10
0.1
1
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
300
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
HUF75829D3, HUF75829D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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HUF75842S3 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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