參數(shù)資料
型號： HUF75337S3S
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs(75A, 55V, 0.014 Ω, N溝道UltraFET功率MOS場效應管)
中文描述： 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： HUF75337S3S
116
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
1.0
1.5
2.0
2.5
-40
0
40
80
120
160
200
0.5
-80
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V, I
D
= 75A
0.8
1.0
1.2
-40
0
40
80
120
160
200
0.6
-80
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
0.9
1.0
1.1
1.2
-40
0
40
80
120
160
200
0.8
-80
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
600
1200
1800
2400
3000
10
20
30
40
50
60
0
0
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
2
4
6
8
10
10
20
30
40
50
60
0
0
V
G
,
V
DD
= 30V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 75A
I
D
= 60A
I
D
= 40A
I
D
= 20A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
HUF75337G3, HUF75337P3, HUF75337S3S
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PDF描述
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參數(shù)描述
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