參數(shù)資料
型號： HUF75337S3S
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs(75A, 55V, 0.014 Ω, N溝道UltraFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： HUF75337S3S
114
CAPACITANCE SPECIFICATIONS
Input Capacitance
C
ISS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
f = 1MHz
(Figure 12)
-
1775
-
pF
Output Capacitance
C
OSS
-
625
-
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
RSS
-
150
-
pF
Electrical Specifications
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Source to Drain Diode Voltage
V
SD
I
SD
= 75A
I
SD
= 75A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
I
SD
= 75A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
1.25
V
Reverse Recovery Time
t
rr
-
-
85
ns
Reverse Recovered Charge
Q
RR
-
-
180
nC
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
20
40
60
80
50
75
100
125
150
175
0
25
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
0.1
1
2
0.01
Z
θ
J
,
T
HUF75337G3, HUF75337P3, HUF75337S3S
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PDF描述
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