參數(shù)資料
型號(hào)： HSC278
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon Schottky Barrier Diode
中文描述： 硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： HSC278
HSC278
Rev.2, Dec. 2000, page 2 of 5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
V
R
30
V
Reverse voltage
Non-Repetitive peak forward surge current
I
FSM
*
Peak forward current
30
V
200
mA
I
FM
I
O
Tj
150
mA
Average rectified current
30
mA
°
C
°
C
Junction temperature
125
55 to +125
Storage temperature
Note
:
10 msec sine wave 1 pulse
Tstg
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward voltage
V
F1
V
F2
I
R
C
—
—
0.30
V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 10 V
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
C = 200 pF, R
= 0
, Both forward and
reverse direction 1 pulse.
—
—
0.95
Reverse current
—
—
700
nA
Capacitance
—
—
1.50
pF
ESD-Capability *
1
—
100
—
—
V
Note
:
1. Failure criterion ; I
R
≥
1.4
μ
A at V
R
= 10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HSC88 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, Mixer
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