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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W256H02TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲(chǔ)器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲(chǔ)器控制器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 65/73頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 333K |
| 代理商： | HN29W256H02TE |
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HN29W256H02TE-1
Flash Memory Interface AC Characteristics
(Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 3.3 V ± 5%)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Write pulse time
t
WP
60
—
—
ns
Write pulse high time
t
WPH
t
CDS
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
OES
t
OEL
t
CDSS
t
SCC
t
SP
t
SPL
t
SAC
40
—
—
ns
F_CDE_ setup time for F_WE_
0
—
—
ns
Data setup time
50
—
—
ns
Data hold time
10
—
—
ns
Address setup time
50
—
—
ns
Address hold time
10
—
—
ns
F_OE_ setup time for F_SC
0
—
—
ns
F_OE_ low to output low-z
0
—
—
ns
F_CDE_ setup time for F_SC
1.5
—
—
μs
Serial clock cycle time
50
—
—
ns
F_SC pulse width
20
—
—
ns
F_SC pulse low time
20
—
—
ns
F_SC to output delay
—
—
50
ns
F_SC to output hold
t
SH
15
—
—
ns
Data setup time for F_SC
t
SDS
0
—
—
ns
Data hold time for F_SC
t
SDH
30
—
—
ns
F_OE_ to output delay
t
OE
—
—
60
ns
F_OE_ high to output flat
t
DF
—
—
40
ns
Time to device busy
t
DB
—
—
150
ns
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PDF描述 |
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