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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W256H02TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲(chǔ)器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲(chǔ)器控制器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/73頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 333K |
| 代理商： | HN29W256H02TE |
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HN29W256H02TE-1
DC Characteristics-1
(Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 3.3 V ± 5
%,
V
DD
= 3.3 V ± 5
%
)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input voltage (CMOS level)
V
IHC
V
ILC
V
IHC
V
ILC
V
TC+
V
TC–
V
TC
*
2
V
OH
0.7
×
V
CC
—
–0.3
V
CC
+ 0.3 V
0.2
×
V
CC
V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
—
—
Input voltage (TTL level)
2.0
—
—
–0.3
—
V
Schmitt circuit (CMOS level)*
1
(1.6)
—
2.6
V
V
CC
= 3.3 V
0.7
—
(1.7)
V
(0.3)
—
—
V
Output voltage (CMOS)
(1 mA)*
3
V
CC
– 0.4 —
—
V
I
OH
= –0.5 mA
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 1 mA
I
OH
= –1 mA
Output voltage (CMOS)
(3 mA)*
3
V
CC
– 0.4 —
—
V
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 3 mA
I
OH
= –2 mA
Output voltage (CMOS)
(2 mA/3 mA)*
V
CC
– 0.4 —
—
V
V
OL
I
LI
I
LO
–I
PU
–I
PU
I
SP1
—
—
0.4
V
I
OL
= 3 mA
—
Input leakage current*
4
Output leakage current*
4
—
—
1
μA
—
—
80/(41) 230/(13.7) μA/(k
) V
IN
= GND
16/(206) 36/(85)
1
μA
V
OUT
= high impedance
Pull-up current/(Resistivity)
Pull-up current/(Resistivity)*
5
Sleep/standby current*
8
15/(230)
2/(1800)
μA/(k
) V
IN
= GND
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
—
(0.2)
(0.5)
Sector read current*
6, 8
I
CCR
(DC)
—
(25)
(50)
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
I
CCR
(Peak) —
I
CCW
(DC)
(50)
(80)
mA
Sector write current*
7, 8
—
(25)
(50)
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
I
CCW
(Peak) —
(50)
(80)
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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