- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370645 > HN29V51211 (Hitachi,Ltd.) 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29V51211 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| 中文描述： | 512M超過32113型快閃記憶體部門（542581248位） |
| 文件頁數(shù)： | 20/42頁 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | HN29V51211 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當(dāng)前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
HN29V51211 Series
20
Power on and off, Serial Read Mode
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Notes
Write cycle time
t
CWC
t
SCC
t
CES
t
CEH
t
WP
t
WPH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
SAC
t
OES
t
OEL
t
OER
t
OEWS
120
—
—
ns
Serial clock cycle time
CE
setup time
CE
hold time
50
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
Write pulse time
60
—
—
ns
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
Write pulse high time
40
—
—
ns
Address setup time
50
—
—
ns
Address hold time
10
—
—
ns
Data setup time
50
—
—
ns
Data hold time
10
—
—
ns
SC to output delay
OE
setup time for SC
OE
low to output low-Z
OE
setup time before read
OE
setup time before
command write
—
—
50
ns
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
0
—
—
ns
0
—
40
ns
100
—
—
ns
0
—
—
ns
SC to output hold
OE
high to output float
WE
to SC delay time
RES
to
CE
setup time
SC to
OE
hold time
t
SH
t
DF
t
WSD
t
RP
t
SOH
t
SP
t
SPL
t
SCS
t
CDS
t
CDH
t
VRS
t
VRH
t
CESR
t
DFP
15
—
—
ns
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
—
—
40
ns
1
50
—
—
μs
2
0.3
—
—
ms
50
—
—
ns
SC pulse width
20
—
—
ns
SC pulse low time
SC setup time for
CE
CDE
setup time for
WE
CDE
hold time for
WE
V
CC
setup time for
RES
RES
to V
CC
hold time
CE
setup time for
RES
RDY/
Busy
undefined for V
CC
off
RES
high to device ready
CE
pulse high time
CE
,
WE
setup time for
RES
RES
to
CE
,
WE
hold time
20
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
20
—
—
ns
1
—
—
μs
CE
= V
IH
CE
= V
IH
1
—
—
μs
1
—
—
μs
0
—
—
ns
t
BSY
t
CPH
t
CWRS
t
CWRH
—
—
0.3
ms
200
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29W12811T-60 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12811 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12814A | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| HN29W25611T-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29V51211T-50H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。