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參數(shù)資料
| 型號： | HN29V1G91T-30 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 128M X 8-bit AG-AND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M的× 8位的AG - AND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/92頁 |
| 文件大小： | 1587K |
| 代理商： | HN29V1G91T-30 |
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Rev.4.00, Jul.20.2004, page 1 of 89
HN29V1G91T-30
128M
×
8-bit AG-AND Flash Memory
REJ03C0056-0400Z
Rev. 4.00
Jul.20.2004
Description
The HN29V1G91 series achieves a write speed of 10 Mbytes/sec, which is 5 times faster than Renesas's
previous multi level cell Flash memory, using 0.13
μ
m process technology and AG-AND (Assist Gate-
AND) type Flash memory cell using multi level cell technology provides both the most cost effective
solution and high speed programming.
Features
On-board single power supply: V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
Operation Temperature range: Ta = 0 to +70
°
C
Memory organization
Memory array: (2048+64) bytes
×
16384 page
×
4 Bank
Page size: (2048+64) bytes
Block size: (2048+64) bytes
×
2 page
Page Register: (2048+64) bytes
×
4 Bank
Multi level memory cell
2bit/cell
Automatic program
Page program
Multi bank program
Cache program
2 page cache program
Automatic Erase
Block Erase
Multi Bank Block Erase
Access time
Memory array to register (1st access time): 120
μ
s max
Serial access: 35 ns min
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V25611AT-50H | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611A | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611AT-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29W12811BP-60 | EEPROM|AND FLASH|16896KX8|CMOS|BGA|72PIN|PLASTIC |
| HN29W12814ASERIES | AND Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V25611A | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611AT-50 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8 50NS 48TSOP-I - Trays |
| HN29V25611AT-50H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V51211 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
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