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參數(shù)資料
| 型號： | HMJE2955T |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | HMJE2955T |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HMJE2955T
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6736
Issued Date : 1992.12.15
Revised Date : 2002.04.03
Page No. : 1/4
HMJE2955T
HSMC Product Specification
Description
The HMJE2955T is designed for general purpose of amplifier and
switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature...................................................................................... 150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C)..................................................................................... 75 W
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C).................................................................................... 0.6 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage...................................................................................... -70 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... -60 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... -5 V
IC Collector Current ........................................................................................................... -10 A
IB Base Current.................................................................................................................... -6 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEX
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Min.
-70
-60
-5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
-1
-1
-700
-5
-1.1
-8
-1.8
100
-
-
Unit
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
Test Conditions
IC=-10mA, IE=0
IC=-200mA, IB=0
IE=-1mA, IC=0
VCB=-70V, IE=0
VCE=-70V, VEB(off)=-1.5V
VCE=-30V, IB=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-4A, IB=-400mA
IC=-10A, IB=-3.3A
IC=-4A, VCE=-4V
IC=-4A, VCE=-4V
IC=-10A, VCE=-4V
VCE=-10V, IC=-500mA, f=0.5MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
TO-220
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMJE3055T | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HML1225 | 0.8A 300.380 VOLTAGE SCRS IGT<200uA |
| HMM4148 | SURFACE MOUNT SITCHING DIODES |
| HMM55C20 | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| HMM55C30 | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HMJE3055T | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HMJ-LESS-FUSE | 功能描述:熔絲座 BUSS FUSEHOLDER S.D. RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品: 電流額定值:30 A 電壓額定值:1000 VDC 極數(shù):1 系列: 安裝風格:DIN Rail 端接類型: 軸類型: 工作溫度范圍: |
| HMK | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:BUSS FUSEHOLDER - Bulk 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:BUSS FUSEHOLDER |
| HMK105B7102KV-F | 功能描述:1000pF ±10% 100V 陶瓷電容器 X7R 0402（1005 公制） 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電容:1000pF 容差:±10% 電壓 - 額定:100V 溫度系數(shù):X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:- 等級:- 應用:SMPS 過濾器 故障率:- 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:0402（1005 公制） 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.022"（0.55mm） 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 |
| HMK105B7102MV-F | 功能描述:1000pF ±20% 100V 陶瓷電容器 X7R 0402（1005 公制） 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電容:1000pF 容差:±20% 電壓 - 額定:100V 溫度系數(shù):X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:- 等級:- 應用:SMPS 過濾器 故障率:- 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:0402（1005 公制） 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.022"（0.55mm） 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 |
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